一种新型的量子比特技术正通过让单个电子漂浮在液氦表面来实现。该方法基于半个世纪前的物理学原理，利用氦的电介质特性和超流性，在相对较高的温度（4 开尔文）下捕获和控制电子，为量子计算提供了一条有别于主流技术的新路径。
让电子漂浮在氦上
这项技术的物理原理并不复杂，早在几十年前就已得到验证。其核心机制在于利用电子与液氦表面之间的相互作用。
当一个电子靠近液氦表面时，由于氦是电介质，它会在液体内部感应出一个微弱的“镜像”正电荷。电子会被这个镜像电荷吸引，但又无法穿透化学性质极其惰性的液氦，最终被束缚在表面。
通过这种方式，电子就像漂浮在一个无形的“陷阱”中。实验中，研究人员使用硅芯片上的微小通道来引导液氦，并利用旁边的钨丝为液氦表面“加载”电子，从而实现对单个电子的捕获。
该技术的关键优势
与当前主流的量子计算技术相比，利用液氦漂浮电子的方法展现出几个独特的优点：
相对“高温”运行： 系统可在 4 开尔文（约零下 269 摄氏度）的温度下工作。这虽然极冷，但相比其他需要更极端制冷技术的方案，条件已相对宽松，降低了工程挑战。
天然的真空环境： 在这个温度下，环境中几乎所有其他气体都会凝固并附着在容器壁上，从而在设备内部自然形成一个理想的真空环境。
利用超流性： 液氦是一种超流体，意味着它流动时没有粘性。这一特性使其能够轻松地流过硅芯片上刻蚀的微小通道，便于精确地将电子引导至指定位置。